TrendForce表示，HBM供應商以往在各世代皆推出兩種不同堆疊層數的產品，如HBM3e世代原先設計8hi及12hi，HBM4世代規畫12hi及16hi。

在各業者已預定於2025年下半以後陸續投入HBM4 12hi的情況下，SK hynix選擇在HBM3e追加推出16hi產品，TrendForce認為，可歸因於以下背景因素，首先TSMC台積電CoWoS-L可提供的封裝尺寸將於2026和2027年間擴大，每SiP(系統級封裝)可搭載的HBM顆數也增加，但後續升級仍面臨技術挑戰和不確定性。在生產難度更高的HBM4 16hi量產前，可先提供客戶HBM3e 16hi作為大位元容量產品的選擇。以每SiP搭載8顆HBM顆數計算，HBM3e 16hi可將位元容量上限推進至384GB，較NVIDIA Rubin的288GB更大。

從HBM3e進展到HBM4世代，IO數翻倍帶動運算頻寬提高，此升級造成晶粒尺寸放大，但單顆晶粒容量維持在24Gb。在HBM3e 12hi升級至HBM4 12hi的過程中，HBM3e 16hi可作為提供低IO數、小晶粒尺寸和大位元容量的選項。